L’obiettivo è superare la legge di Moore con transistor VTFET
IBM e Samsung Electronics hanno realizzato un’innovazione importante nella progettazione dei semiconduttori, basata su una nuova architettura. Questa permetterebbe una riduzione dell’85% del consumo energetico di una batteria, portandola a durare settimane, non ore. I due partner hanno affermato che lo schema VTFET (Vertical Transport Field-Effect Transistors) offre una maggiore efficienza energetica rispetto ai progetti FinFET, estendendo potenzialmente il ridimensionamento della legge di Moore oltre le attuali soglie formulazione bidimensionali.
I FinFET sono progettati per essere posizionati in maniera piatta sopra una superficie e consentire così alla corrente di fluire orizzontalmente. Rispetto a un transistor planare, i FinFET aiutano a ridurre la dispersione di potenza, fornendo al contempo una maggiore densità del dispositivo. A differenza dei FinFET, IBM e Samsung spiegano che i moduli VTFET sono situati perpendicolarmente a un substrato del chip, permettendo alla corrente di fluire verticalmente. Il design potrebbe dunque prolungare la durata della batteria dello smartphone oltre una settimana, senza richiedere alcuna ricarica. Non è chiaro quando la tecnologia VTFET sarà disponibile in commercio ma IBM e Samsung non sono gli unici a sviluppare transistor e nanochip impilati.
Molti altri sono in linea, con chip da 4 e 3 nm, con l’intenzione di arrivare ad un dimensionamento di addirittura 1 nm. Intel ha annunciato iniziative di ricerca che le consentirebbero di ottenere un aumento fino al 50% del numero di transistor che possono essere inseriti in un chip, tramite un’attività di sviluppo simile a quella dei due big. A complicare i progetti ci sono le continue interruzioni nella catena di approvvigionamento dei semiconduttori e la carenza di hardware, che prosegue oramai da oltre un anno.
