La prossima generazione di SoC promette il 27% di prestazioni in più grazie alla tecnologia a 10nm di Samsung
Sarà dunque lo Snapdragon 835 il primo system-on-a-chip ad essere costruito con la tecnologia a 10nm di Samsung. Confrontato con il precedente 821, la nuova CPU offre performance superiore del 27%, il 40% di consumo in meno e il 30% di incremento nell’efficienza per area. Si tratta di dati forniti dalla stessa Qualcomm, che parla di un salto in avanti importante per tutto il comparto mobile. Utilizzando la tecnica a 10nm FinFET, Samsung è riuscita a ridurre le dimensioni del chip, così da permettere ai produttori di espandere ulteriormente le loro integrazioni all’interno del device. Pensiamo a nuovi sensori o magari alle fotocamere di profondità e movimento di Project Tango.
Sempre Samsung
Keith Kressin, senior vice president of product management di Qualcomm ha detto: “Siamo entusiasti di poter continuare il nostro lavoro con Samsung nella direzione dello sviluppo di prodotti che guidano l’industria mobile. Con il processo a 10nm ci aspettiamo di dotare un gran numero di dispositivi con lo Snapdragon 835, che porta con sé notevoli miglioramenti rispetto alla generazione precedente”.
Il Galaxy S8
Tra questi, il supporto al Quick Charge 4.0, che vuol dire ottenere una ricarica completa in un tempo ancora minore a quello attuale, più o meno del 20%. Tradotto, vuol dire arrivare al 50% di batteria in appena 15 minuti e una durata, con un singolo ciclo di vita, di 5 ore in più. Ci aspettiamo di vedere il SoC sul Galaxy S8 programmato per aprile anche qualcuno spera ancora in un anticipo al Mobile World Congress di febbraio.
