L’azienda ha realizzato dei chip ultradensi quattro volte più potenti di quelli attuali grazie all’utilizzo del germanio invece del solo silicio
Rivoluzionare l’informatica con elementi che già abbiamo: questa la volontà di IBM che qualche ora fa ha annunciato una novità fondamentale per il mondo della tecnologia. I suoi tecnici sono infatti riusciti a realizzare chip formati da un canale in silicio e germanio (SiGe), invece del solo silicio, attraverso l’utilizzo della tecnica Extreme Ultraviolet (EUV), tale da rendere il prodotto finale quattro volte più potente degli attuali. La presentazione è parte dello sforzo di IBM di dare uno slancio importante alla produzione di chip nella Hudson Valley dove ha investito ben 3 miliardi di dollari per la realizzazione di impianti e campus assieme allo Stato di New York, Samsung, GlobalFoundries e una serie di altri produttori hi-tech.
Già nel futuro
I chip di sette nanometri presentati da IBM accelerano lo sviluppo dell’industria di semiconduttori che negli ultimi tempi ha faticato nel mantenere la promessa di raddoppiare la densità dei transistor ogni due anni. Non a caso Intel, leader nel settore per decenni, ha faticato nel proporre evoluzioni importanti per il mercato a causa di limiti tecnici riscontrati dai laboratori. Adesso però il mix tra silicio e germanio potrebbe innalzare definitivamente il livello di potenza dei chip, spingendo anche altre aziende ad utilizzare la tecnica per le proprie produzioni. Secondo IBM nei nuovi microprocessori sarà possibile inserire più di 20 miliardi di transistor, più piccoli del 50% delle soluzioni a 10 nanometri; un’evoluzione che va al di là di ogni aspettativa, anche delle previsioni di Moore.
