La realizzazione in massa della prima memoria basata sulla nuova generazione di High Bandwidth Memory 2 è appena cominciata
Il computing di prossima generazione potrà fare affidamento su una memoria RAM migliore, sotto diversi punti di vista. Ne è certa Samsung che ha ufficialmente avviato la produzione di massa del suo primo modulo RAM basato sulla seconda generazione di High Bandwidth Memory, conosciuta anche come HBM2. La tecnologia presente sulla memoria permetterà di svolgere diverse operazioni con performance migliori: dalla produttività in 3D al gaming, passando alla gestione di grandi infrastrutture di rete e server. Secondo Samsung la DRAM 4GB offrirà prestazioni sette volte più veloci delle memorie correnti.
Il futuro del computing
Tra le applicazioni più interessanti, che beneficeranno dei nuovi moduli c’è il machine learning, le cui soluzioni cominciano ad invadere concretamente il mercato. “Con l’avvio della produzione di massa della prossima generazione di DRAM HBM2, possiamo contribuire ad una rapida adozione di nuove tecnologie IT per le aziende – ha detto Sewon Chun, senior vice president del prodotto memorie – inoltre, facendo uso di una tecnica di produzione in 3D possiamo coprire proattivamente alcuni bisogni che emergono in diversi settori produttivi”. Le memoria da 4GB realizzate da Samsung usano un processo a 20 nanometri e lavorano su una banda da 256GBps, il doppio rispetto agli attuali modelli HB1. Le nuove RAM saranno pronte probabilmente entro la prima metà del 2016 per soddisfare le crescenti richieste del mercato di network e server.
